Hệ thống FIB-SEM ba chùm tia NX2000

Hướng tới hệ thống chuẩn bị mẫu TEM tối ưu

Các hệ thống FIB-SEM đã trở thành một công cụ không thể thiếu để đặc tính hóa và phân tích các công nghệ mới nhất cũng như các vật liệu nano hiệu suất cao. Nhu cầu ngày càng tăng đối với các lá TEM siêu mỏng không để lại lỗi kỹ thuật trong quá trình xử lý FIB đòi hỏi những công nghệ quang học ion và electron tốt nhất.

Hệ thống FIB hiệu suất cao và SEM độ phân giải cao NX2000 của Hitachi, với các công nghệ độc quyền về kiểm soát hướng mẫu* và chùm tia ba*, hỗ trợ chuẩn bị mẫu TEM chất lượng cao với hiệu suất lớn cho các ứng dụng tiên tiến nhất.

*Tùy chọn

Khả năng phát hiện điểm dừng SEM trong thời gian thực với độ tương phản cao cho phép chuẩn bị các mẫu TEM siêu mỏng cho các thiết bị kích thước dưới 20 nm. Theo dõi SEM thời gian thực trong quá trình cắt FIB Mẫu: Bộ nhớ NAND flash Điện áp gia tốc: 1 kV FOV: 0.6 μm

Hệ thống vi lấy mẫu và cơ chế định vị độ chính xác cao cho phép kiểm soát hướng mẫu để chống lại hiệu ứng rèm (chức năng ACE) và tạo ra các lá mẫu có độ dày đồng nhất. Có chức năng định hướng mẫu (Bên trên) Không có chức năng định hướng mẫu (Bên dưới)

Hệ thống Ba chùm tia*: Cấu hình ba chùm tia giúp giảm thiểu hư hại do chùm ion Ga (Gallium) gây ra.

EB: Chùm điện tử FIB: Chùm ion tập trung Ar: Chùm ion Argon

Liên hệ mua hàng Tư vấn kỹ thuật

Thông số kỹ thuật

Cột FIB
Độ phân giải (SIM)	4 nm ở 30 kV, 60 nm ở 2 kV
Điện áp gia tốc	0.5 kV – 30 kV
Dòng điện chùm tia	0.05 pA – 100 nA
Cột FE-SEM
Độ phân giải	2.8 nm ở 5 kV, 3.5 nm ở 1 kV
Điện áp gia tốc	0.5 kV – 30 kV
Nguồn điện tử	Nguồn phát xạ trường cathode lạnh
Đầu dò
Đầu dò tiêu chuẩn	SED & BSED Upper/Lower
Bàn mẫu	X: 0 – 205 mm
	Y: 0 – 205 mm
	Z: 0 – 10 mm
	R: 0 – 360° vô cực
	T: -5 – 60°