Hệ thống FIB-SEM Ethos NX5000

Hiệu suất vượt trội với tính linh hoạt tối đa

Hệ thống Hitachi Ethos FIB-SEM tích hợp thế hệ FE-SEM mới nhất với độ sáng và độ ổn định chùm tia vượt trội. Ethos mang đến khả năng hình ảnh phân giải cao ở điện áp thấp kết hợp với quang học ion để xử lý chính xác ở cấp độ nano.

1. Cột FE-SEM hiệu suất cao với chế độ thấu kính kép

  • Quan sát ở độ phân giải siêu cao (chế độ HR: semi-in-lens)

  • Phát hiện điểm cuối chính xác cao trong thời gian thực (chế độ FF: không từ trường (chế độ chia sẻ thời gian))

2. Xử lý vật liệu hiệu suất cao

  • Xử lý cực nhanh với mật độ dòng ion cao (Dòng chùm tối đa: 100 nA)

  • Kịch bản lập trình cho người dùng để xử lý và quan sát tự động

3. Hệ thống vi lấy mẫu

  • Tích hợp kiểm soát hướng mẫu để chống hiệu ứng rèm (công nghệ ACE)

  • Chuẩn bị mẫu TEM đồng nhất ở mọi hướng

4. Khả năng ba chùm tia, mang lại kết quả chất lượng cao

  • Xử lý vật liệu bằng chùm ion khí hiếm ở thế gia tốc thấp

  • Các chức năng cải tiến giúp giảm thiểu các hư hại liên quan đến ion Ga và các lỗi gia công khác

5. Buồng mẫu đa cổng và bệ mẫu lớn cho nhiều ứng dụng khác nhau

  • Hệ thống hỗ trợ kích thước mẫu lớn với độ ổn định bệ mẫu vượt trội

  • Phạm vi theo dõi khoảng cách dài đạt 155 x 155 mm

Quang học điện tử cải tiến và phát hiện đa tín hiệu Cột điện tử SEM của hệ thống Ethos bao gồm một hệ thống vật kính phức hợp kết hợp từ trường và điện trường, được cấu hình theo hai chế độ thấu kính. Chế độ phân giải cao (HR) đạt được khả năng quan sát mẫu ở độ phân giải tối ưu bằng cách nhúng mẫu vào trong từ trường của hệ thống thấu kính. Chế độ không từ trường (FF) cung cấp khả năng xử lý FIB (chùm ion hội tụ) trong thời gian thực, giúp cắt điểm cuối với độ chính xác cao. Khả năng siêu chuyển đổi giữa bức xạ FIB và hình ảnh SEM với tốc độ nhanh tới 10 nano-giây mang lại các góc nhìn quan sát và chế tác trực tiếp trong thời gian thực với độ rõ nét cao. Việc tạo ảnh SEM và IM nhanh chóng cho phép người dùng dễ dàng tìm thấy vùng quan tâm một cách mau lẹ.    

Hình ảnh SEM phân giải cao

FIB hiệu suất cao

FIB có mật độ dòng điện cao giúp xử lý trên diện rộng với tốc độ nhanh.

Phần mềm tự động Auto-pilot hỗ trợ nhiều chức năng tự động cho việc tạo ảnh, chuẩn bị mẫu mỏng TEM, tạo mặt cắt ngang và nhiều hơn nữa…

Chế độ chia sẻ thời gian

Chế độ chia sẻ thời gian là công cụ tối ưu để tối đa hóa khả năng quan sát SEM trong khi đồng thời thực hiện cắt ion.

Các tính năng:

  • Chế độ chia sẻ thời gian giúp tạo ra hình ảnh SEM chất lượng cao với bất kỳ đầu dò nào và trong mọi điều kiện cắt để phát hiện điểm cuối trong thời gian thực

  • Chế độ Cắt & Quan sát cho hình ảnh phân giải siêu cao trong chế độ HR

  • Quan sát đồng thời cho việc tạo ảnh truyền thống

Chế độ Cắt & Quan sát cho phân tích cấu trúc 3D

FOV: 20 µm

Số lần cắt: 200

Khoảng cách giữa các lần cắt: 20 nm

Thế gia tốc SEM: 1.5 kV

Mẫu: Điện cực pin nhiên liệu (Ni-YSZ)

Mẫu được cung cấp bởi Giáo sư Naoki Shikazono, Viện Khoa học Công nghiệp, Đại học Tokyo

Chuẩn bị mẫu TEM chất lượng cao sử dụng công nghệ Triple-Beam (ba chùm tia)

Ethos cung cấp các giải pháp mạnh mẽ được tích hợp trên một nền tảng duy nhất, bao gồm cả xử lý chùm ion Ar/Xe gia tốc thấp khi được cấu hình dưới dạng hệ thống Triple-Beam (ba chùm tia)

Vùng tương phản tối (mũi tên đỏ) cho thấy hư hỏng do ion Ga gây ra ở mức 2 kV.

Hình ảnh bên phải chỉ thấy cấu trúc đơn tinh thể tương tự vẫn còn nguyên vẹn sau khi cắt bằng ion Ar 1 kV làm lộ rõ các vân mạng tinh thể sắc nét.

Quá trình cắt ion diện rộng Ar/Xe năng lượng thấp giúp giảm thiểu lớp vật liệu vô định hình phát sinh từ quá trình cắt bằng ion Ga. ACE: Chống hiệu ứng rèm

Giao diện GUI tối ưu cho hiệu suất tối đa

Tăng cường khả năng lựa chọn tín hiệu với 4 đầu dò

  • Thu nhận tín hiệu đồng thời 4 kênh từ các đầu dò trong cột (1x SED, 2x BSE) và đầu dò SE trong buồng mẫu.

  • Các menu có thể lập trình để lưu và gọi lại các thông số chùm tia SEM và FIB.

  • Tạo ảnh chọn lọc và riêng biệt từ các đầu dò khác nhau, hỗ trợ các ứng dụng cụ thể của người dùng như tạo ảnh thành phần hoặc địa hình bề mặt.

  • Có thể lưu và gọi lại điều kiện cho từng chế độ tín hiệu như mức khuếch đại, độ tương phản và độ sáng cùng các thông số khác.

Giao diện thế hệ mới cho các Chế độ xử lý và Quy trình tùy chỉnh

Lập trình dựa trên đồ họa để trực quan hóa vĩ mô

  • Giao diện kéo-và-thả (Drag-and-drop) đơn giản để tạo các quy trình xử lý/quan sát phức tạp một cách dễ dàng.

  • Các chế độ xử lý có thể lập trình đầy đủ với các mẫu lồng nhau.

  • Hiệu quả tối đa cho các hoạt động định kỳ bằng cách sử dụng các quy trình đã đăng ký.

Khả năng linh hoạt vượt trội để tạo quy trình của riêng bạn

  • Các chế độ xử lý đa diện bao gồm xử lý dốc và bitmap cũng như các mẫu có sẵn.

  • bao gồm hình chữ nhật, hình tròn và hình thang.

  • Các quy trình được định nghĩa trước cho việc xử lý mặt cắt ngang và chuẩn bị lát mẫu mỏng TEM.

  • Phần mềm quét vector cho phép các ứng dụng xử lý tùy chỉnh.

  • Xử lý tự động và độ chính xác cao với tính năng hiệu chỉnh độ trôi.

  • Các quy trình có thể được thiết lập theo cá nhân hoặc theo nhóm cho môi trường phòng thí nghiệm nhiều người dùng.

Buồng mẫu và bệ mẫu cho các ứng dụng khác nhau

  • Bệ mẫu được thiết kế mới nhằm tạo ảnh phân giải cao.

  • Có thể thiết lập nhiều cấu hình phân tích đa dạng nhờ vào việc tối ưu hóa vị trí đặt đầu dò.

Liên hệ mua hàng Tư vấn kỹ thuật

Thông số kỹ thuật

0 Độ phân giải SIM 4 nm ở 30 kV
[NX5000] 60 nm ở 2 kV (Phân giải cạnh)
Điện áp gia tốc 0.5 kV ~ 30 kV
Dòng chùm tia 100 nA
Nguồn ion Nguồn ion kim loại lỏng Ga
FIB Độ phân giải SIM 4 nm ở 30 kV
[NX5200] 50 nm ở 2 kV (Phân giải cạnh)
Điện áp gia tốc 0.5 kV ~ 30 kV
Dòng chùm tia 100 nA
Nguồn ion Nguồn ion kim loại lỏng Ga
SEM Độ phân giải SEM 1.5 nm ở 1 kV, 0.7 nm ở 15 kV
Điện áp gia tốc 0.1 kV ~ 30 kV
Dòng chùm tia cực đại 10 nA
Nguồn điện tử Phát xạ trường cathode lạnh
Đầu dò Đầu dò điện tử thứ cấp trong cột, SE (U)
Đầu dò điện tử tán xạ ngược trong cột, BSE (U)
Đầu dò điện tử tán xạ ngược trong cột, BSE (L)
Đầu dò điện tử thứ cấp gắn trên buồng mẫu, SE (L)
Bệ mẫu động cơ
5 trục (có điều khiển phản hồi)
X 155 mm
Y 155 mm
Z 16.5 mm
R 0 ~ 360° không giới hạn
T -10 ~ 59°
Kích thước mẫu tối đa đường kính 150 mm
Tùy chọn Hệ thống chùm ion Ar/Xe
Hệ thống vi lấy mẫu
Hệ thống bơm khí (2 hoặc 3 bình chứa)
* Lắng đọng Carbon
* Lắng đọng Platinum
* Lắng đọng Tungsten
Buồng phụ nạp mẫu tự động
Phần mềm xử lý tự động
Phần mềm chuẩn bị mẫu TEM tự động
Phụ kiện giữ mẫu đa dạng
Hệ thống phổ tán xạ năng lượng tia X EDS
Hệ thống phổ nhiễu xạ điện tử tán xạ ngược EBSD

Ứng dụng

Videos